型号:

IRF7703TRPBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF7703TRPBF PDF
产品变化通告 Product Discontinuation 08/Jul/2011
产品目录绘图 IR Hexfet 8-TSSOP
标准包装 1
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 28 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 62nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 5220pF @ 25V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装 8-TSSOP
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRF7703TRPBFCT
相关参数
IRF7703TRPBF International Rectifier MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
XVB-01 Excelsys Technologies Ltd POWER CHASSIS 700W 6 SLOT
IRFH7921TRPBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFH7921TRPBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
T95Z476M010ESZL Vishay Sprague CAP TANT 47UF 10V 20% 2910
IRFH7921TRPBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRS2001STRPBF International Rectifier IC DRIVER HI/LO SIDE 200V 8-SOIC
IRF7705GTRPBF International Rectifier MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
NSR01F30NXT5G ON Semiconductor DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DSN
T95Y686M004CSSL Vishay Sprague CAP TANT 68UF 4V 20% 2910
IRF7705GTRPBF International Rectifier MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
XNB-01 Excelsys Technologies Ltd POWER CHASSIS 400W 4 SLOT
IRS2001STRPBF International Rectifier IC DRIVER HI/LO SIDE 200V 8-SOIC
IRF7705GTRPBF International Rectifier MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP
MBR120LSFT3G ON Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123FL
ABM7-18.432MHZ-D-2-Y-T Abracon Corporation CRYSTAL 18.4320 MHZ 18PF SMD
XQA-00 Excelsys Technologies Ltd POWER CHASSIS 600W 6 SLOT
ABM7-18.432MHZ-D-2-Y-T Abracon Corporation CRYSTAL 18.4320 MHZ 18PF SMD
T95Y686K004CSSL Vishay Sprague CAP TANT 68UF 4V 10% 2910
ABM7-20.000MHZ-D-2-Y-T Abracon Corporation CRYSTAL 20.0000 MHZ 18PF SMD